三菱電機株式会社（執行役社長：下村 節宏）は、5G-Advanced基地局の設置性や電力効率を高め、6Gへの移行をサポートすることが期待される、世界最高レベルの電力効率を有する7GHz帯小型窒化ガリウム（GaN）パワーアンプモジュール（PAM）を世界で初めて開発しました。三菱電機は、5G-Advancedの通信信号を用いた実証実験において、世界で初めて新型PAMの性能確認に成功しました。
三菱電機は、独自の整合回路技術と高性能GaNトランジスタを用いた7GHz帯GaN PAMを開発しました。部品の高密度実装により、12.0mm×8.0mm（試作品）のコンパクトなモジュールとなり、5G-Advanced基地局の設置効率を向上させます。今後 三菱電機 は、5G-Advanced基地局におけるPAMの実用化を目指した研究開発を継続します。
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技術的な詳細は、6月15日から20日まで米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催される「IEEE International Microwave Symposium 2025」で発表します。また、同イベントの展示会場では、ウパテック社との共同ライブデモを実施する予定です。
ソース ビジネスワイヤー
