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三菱電機、高絶縁HVIGBTモジュールを発表

三菱電機株式会社（執行役社長：下村 節宏）は、産業機器や鉄道車両用インバータシステム向けに、絶縁耐圧を高め、信頼性を向上させた高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（HVIGBT）モジュール「XBシリーズ」2機種を発売します。これらの新しいモジュールは、標準絶縁（6.0kVrms）と高絶縁（10.2kVrms）で、XBシリーズの4.5kV定格を補完し、大容量と堅牢な絶縁の両方を必要とする厳しい環境での使用に適しています。新機能HVIGBT設計の技術的進歩 新しいXBシリーズモジュールは、三菱独自のRFC（relaxed-field-of-cathode）ダイオードとCSTBT（carrier-stored trench-gate bipolar transistor）構造を採用し、チップの小型化（約30%の小型化）を実現するとともに、耐湿性を従来比約20倍に向上させています。こちらもお読みください：マイクロンの$9.6B投資により日本のチップ産業が活性化 スイッチング損失は従来モジュールと比較して約5～15%減少し...