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三菱電機株式会社（執行役社長：下村 節宏）は、太陽光発電をはじめとする再生可能エネルギー電源システム向けの産業用パワー半導体モジュールとして、新型1.2kV IGBTモジュール「LV100タイプ」のサンプル提供を2月15日より開始します。本モジュールは、第8世代のIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）を搭載し、太陽光発電システムや蓄電池などの電力システムにおいて、インバータなどの電力損失を最小限に抑え、出力電力を最大化します。
本モジュールは、1月22日から24日まで東京ビッグサイトで開催される「第39回エレクトロニクス研究開発・製造・実装技術展（ネプコンジャパン2025）」をはじめ、北米、欧州、中国などで開催される展示会に出展します。
1990年の立ち上げ以来、 三菱電機当社のIGBTパワー半導体モジュールは、その優れた性能と高信頼性が評価され、民生用、車載用、産業用、鉄道用など、さまざまな分野で採用されています。このたび、独自のスプリットダミーアクティブ（SDA）構造とコントロールキャリアプラズマレイヤー（CPL）構造を採用した第8世代IGBTを開発。
新製品「LV100型1.2kVモジュール」は、第8世代のIGBTチップを搭載することで、太陽光発電システムや蓄電池などに使用されるインバーターにおいて、従来品と比較して約15%の電力損失を低減します。また、IGBTチップとダイオードチップの配置を最適化することで、定格電流を従来品の1.5倍となる1,800Aとし、インバータ出力の向上が期待できます。また、並列接続が容易な従来型パッケージのため、幅広い容量範囲のインバータ構成に対応可能です。
ソース ビジネスワイヤー
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