株式会社キオクシアとサンディスク株式会社は、Fab2(K2)での生産を開始しました。この最先端半導体工場は岩手県北上市にあります。Fab2では、第8世代の218層3Dフラッシュメモリの製造が可能です。同社のCMOSダイレクトボンディング(CBA)技術を使用しています。また、将来の高度な3Dフラッシュメモリノードをサポートするように構築されています。量産開始は2026年初頭。AIや高性能コンピューティングの需要により、生産量は増加する見込み。
耐震設計、省エネマシン、AIを活用した効率化手法などを採用。コンパクトな設計でクリーンルームのスペースを拡大し、半導体製造を推進。日本政府が支援するこのプロジェクトは、高密度ストレージ・ソリューションの国際競争力強化を目的としています。
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株式会社キオクシア そして サンディスクコーポレーション は20年以上の協力関係にあります。彼らは3Dフラッシュメモリを開発するために技術を共有してきました。Fab2の立ち上げは、彼らの革新への意欲を示しています。AIやデータを多用する市場で高まる大容量ストレージの需要に応えます。

