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半導体製造装置のトップメーカーであるラムリサーチ社は、JSR社およびその子会社であるインプリア社と、非独占的なクロスライセンスおよびコラボレーション契約を締結しました。インプリア社は、金属酸化物フォトレジスト・ソリューションを専門としています。この契約は、半導体製造の進歩を加速させることを目的としています。EUVリソグラフィ用ドライレジストなど、新しいパターニング技術に注目。また、原子層エッチングおよび蒸着用材料の創出を促進することも目的としています。
材料と装置の強みを融合し、最先端のパターニングを実現
このパートナーシップは、JSRグループの先進的な金属酸化物ソリューションのような革新的な半導体材料におけるスキルと、ラムの蒸着、エッチング、EUVパターニングにおける一流の能力を組み合わせたものです。ラムのAether®システムは、画期的なドライレジスト・プラットフォームです。コストを削減し、AIや高性能コンピューティング向けの複雑なチップパターンの作成を容易にします。
次世代EUVパターニングに向けた業界の動きを加速
ラム社とJSR/インプリア社は協力します。両社は、JSR/Inpriaの高度なパターニング・レジストおよびフィルムと、ラムのエッチングおよびドライレジスト成膜技術を組み合わせる予定です。両社は、チップメーカーがAI時代に対応できるよう、以下のような主要分野の技術革新で協力していきます：
- 先端金属酸化物レジストの研究開発
- 高開口数(NA)のEUVパターニングは、将来の先端ノードの鍵となります。
- 次世代パターニングのための新しいフィルムと材料。
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JSRは最近、山中ヒューテック株式会社を買収しました。両社は新しい前駆体材料とプロセスを共に探求していきます。これにより、原子層蒸着とエッチング溶液を改善します。
ラム そして JSR/インプリアは、半導体業界の次世代パターニングへの移行を加速するために提携しました。このパートナーシップは重要なイノベーションを推進します。これにより、AIやHPCなどのチップのスケーリングとパフォーマンスが向上します。
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